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多层片式瓷介电容

军用RF/微波多层片式瓷介电容器

高能钽混合电容器

引线型电容器

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军用RF/微波多层片式瓷介电容器


  • 产品特点:高Q值、高功率、低等效串联电阻和电感、低噪声、高自共振、高可靠性;


  • 产品应用:
    • 在电路中实现旁路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配和直流阻隔等功能;
    • 可应用于中频/高频/甚高频/超高频/微波/射频放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、记时电路、延时电路等;
    • 广泛应用于军用无线通信、雷达、电子对抗等设备


  • 产品电性能:
    • 容量 0.1pF-5100pF
    • Q值大于10000(1MHz)
    • 工作电压 150V-3600V
    • 温度系数 0±30ppm/℃或+90±30ppm/℃
    • 工作温度 -55℃~+125℃
    • 工作频率10MHz-30GHz


  • 满足美军标MIL-C-55681和国军标GJB192A-98标准


  • 完全替代美国ATC、英国Morgand的产品


产品系列:


DLCJ10A(替代ATC100A)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
0505 0.1-150pF 大于10000 150V +20~+90ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ10B(替代ATC100B)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
1111 0.3-1000pF 大于10000 500-50V +20~+90ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ10C(替代ATC100C)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
2225 1-2700pF 大于10000 2500-300V +20~+90ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ10E(替代ATC100E)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
3838 1-5100pF 大于10000 3600-500V +20~+90ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70A(替代ATC700A)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
0505 0.1-150pF 大于10000 150V 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70B(替代ATC700B)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
1111 0.3-1000pF 大于10000 500-50V 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70C(替代ATC700C)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
2225 1-2700pF 大于10000 2500-300V 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70E(替代ATC700E)


尺寸 容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
3838 1-5100pF 大于10000 3600-500V 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70F(替代MORGAN 1021系列)


容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
10-3900pF 大于2000 12.5KV-2.5KV 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70G(替代MORGAN 1031系列)


容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
30-10000pF 大于2000 12.5KV-2.5KV 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70M(替代MORGAN 1011系列)


容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
3.3-1200pF 大于2000 7.5KV-2.5KV 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃


DLCJ70N(替代MORGAN 1061系列)


容量 Q值 额定电压 温度系数 工作温度
1-2200pF 大于2000 12KV-6KV 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃