|
|
首页 > 产品 > 多层片式瓷介电容 > 军用RF/微波多层片式瓷介电容器
军用RF/微波多层片式瓷介电容器
- 产品特点:高Q值、高功率、低等效串联电阻和电感、低噪声、高自共振、高可靠性;
- 产品应用:
- 在电路中实现旁路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配和直流阻隔等功能;
- 可应用于中频/高频/甚高频/超高频/微波/射频放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、记时电路、延时电路等;
- 广泛应用于军用无线通信、雷达、电子对抗等设备
- 产品电性能:
- 容量 0.1pF-5100pF
- Q值大于10000(1MHz)
- 工作电压 150V-3600V
- 温度系数 0±30ppm/℃或+90±30ppm/℃
- 工作温度 -55℃~+125℃
- 工作频率10MHz-30GHz
- 满足美军标MIL-C-55681和国军标GJB192A-98标准
产品系列:
DLCJ10A(替代ATC100A)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
0505
|
0.1-150pF
|
大于10000
|
150V
|
+20~+90ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ10B(替代ATC100B)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
1111
|
0.3-1000pF
|
大于10000
|
500-50V
|
+20~+90ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ10C(替代ATC100C)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
2225
|
1-2700pF
|
大于10000
|
2500-300V
|
+20~+90ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ10E(替代ATC100E)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
3838
|
1-5100pF
|
大于10000
|
3600-500V
|
+20~+90ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70A(替代ATC700A)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
0505
|
0.1-150pF
|
大于10000
|
150V
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70B(替代ATC700B)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
1111
|
0.3-1000pF
|
大于10000
|
500-50V
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70C(替代ATC700C)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
2225
|
1-2700pF
|
大于10000
|
2500-300V
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70E(替代ATC700E)
|
尺寸
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
3838
|
1-5100pF
|
大于10000
|
3600-500V
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70F(替代MORGAN 1021系列)
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
10-3900pF
|
大于2000
|
12.5KV-2.5KV
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70G(替代MORGAN 1031系列)
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
30-10000pF
|
大于2000
|
12.5KV-2.5KV
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70M(替代MORGAN 1011系列)
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
3.3-1200pF
|
大于2000
|
7.5KV-2.5KV
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
DLCJ70N(替代MORGAN 1061系列)
|
容量
|
Q值
|
额定电压
|
温度系数
|
工作温度
|
|
1-2200pF
|
大于2000
|
12KV-6KV
|
0±30ppm/℃
|
-55℃~+125℃
|
|
|