首页 > 产品 > 多层片式瓷介电容 > 军用RF/微波多层片式瓷介电容器 > DLCJ70系列军用RF/微波电容器

产品特点

• 高Q值、高功率、低等效串联电阻/低等效串联电感、低噪声、高自共振、高可靠性

产品应用

• 典型功能应用：旁路、耦合、调谐、反馈、阻抗匹配和直流隔。

• 典型电路应用：中频/高频/甚高频/微波/射频放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、记时电路、延时电路等。

• 典型应用领域：军用电台、雷达、电子对抗设备、GSM/CDMA基站;直放站、核磁共振医疗系统、广播电视发射机等

产品尺寸

• DLCJ70A：0505
• DLCJ70B：1210
• DLCJ70C：2225
• DLCJ70D：0805
• DLCJ70E：3838

端头类型

• 镍阻挡层，镀锡或锡铅

• 银钯端头

• 铜阻挡层，镀纯锡或锡铅或纯铅

主要电性能指标

• 满足GJB192A-98、MIL-C-55681 、MIL-C-123的标准要求

• 容量和精度：0.1pF—5200pF ±1% ±2% ±5% ±10%

• Q值 ：频率为1MHz时大于10000

• 工作电压：150V，200V，500V，2500V，3600V

• 使用温度范围：-55℃到+125 ℃

• 温度系数：±30ppm/℃

• 容量漂移： ±0.02%或±0.02pF，取最大者

• 压电效应：无